這可不是陳平江瞎估計(jì)，臺(tái)積電2016年在南京設(shè)立的全資子公司就投資了30億美金。

    當(dāng)然了，臺(tái)積電的設(shè)備里包含了最先進(jìn)的EUV（極紫），而現(xiàn)在這個(gè)節(jié)點(diǎn)全世界只能買到DUV（深紫），但人家臺(tái)積電是老手，華芯只是個(gè)新徒弟什么都要學(xué)，都會(huì)產(chǎn)生成本。

    甚至可能買設(shè)備都要被宰。

    其中建設(shè)成本是大頭，包括設(shè)備購(gòu)置、廠房建設(shè)、人員培訓(xùn)、技術(shù)研發(fā)等。不同環(huán)節(jié)的成本因技術(shù)難度、市場(chǎng)需求和地域差異等因素而有所不同，此外還有產(chǎn)品良率的問題。

    總體而言，晶圓廠建設(shè)成本較高，但隨著技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)規(guī)模的擴(kuò)大，成本也會(huì)逐漸降低。

    其中，廠房建設(shè)需要考慮地理位置、環(huán)保要求、安全標(biāo)準(zhǔn)等因素。

    而制造設(shè)備具體又包括氧化爐、CVD設(shè)備、PVD設(shè)備、真空蒸鍍?cè)O(shè)備、MBE設(shè)備、液相外延設(shè)備、ALD設(shè)備、電化學(xué)鍍膜設(shè)備、涂膠設(shè)備、曝光機(jī)、顯影設(shè)備、光刻機(jī)、干法蝕刻設(shè)備、濕法蝕刻設(shè)備、CMP設(shè)備、離子注入機(jī)、清洗設(shè)備等。

    這些設(shè)備分別負(fù)責(zé)晶圓的氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等步驟。

    現(xiàn)在才2011年，類似北方華創(chuàng)、中微半導(dǎo)體、中電48所、中電45所等一系列的國(guó)內(nèi)設(shè)備商才剛剛起步。

    想買只能找國(guó)外。

    在制造過程中，最主要、價(jià)值最昂貴的三類分別是沉積設(shè)備，包括PECVD，LPCVD等、刻蝕設(shè)備、光刻機(jī)，占半導(dǎo)體晶圓廠設(shè)備總投資的15%、15%、20-25%。

    幾乎壟斷了高端光刻市場(chǎng)份額高達(dá)80%的ASML，在CVD設(shè)備和PVD設(shè)備領(lǐng)域都保持領(lǐng)先的美國(guó)應(yīng)用材料（AMAT）以及刻蝕機(jī)設(shè)備領(lǐng)域龍頭Lam Research穩(wěn)坐前三。

    想買，而且買好的，繞不開他們。當(dāng)然有些設(shè)備也可以去找小日子的尼康、DNS、日立高新去買。

    其中，國(guó)人最熟悉的莫過于光刻機(jī)和其主要生產(chǎn)商ASML。

    光刻機(jī)的作用說的簡(jiǎn)單點(diǎn)，就是通過一系列的手段，將線路圖成比例縮小后照射到硅片上，然后顯影，最終得到在硅片上的電路圖。

    經(jīng)過一次光刻的芯片可以繼續(xù)涂膠、曝光。越復(fù)雜的芯片，線路圖的層數(shù)越多，也需要更精密的曝光控制過程。

    后來華為的那張麒麟9000S，就是用了多重曝光的技術(shù)。